收藏本站
NTD6415AN, NVD6415AN
1600
1200
800
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
8
6
4
Q gs
V DS
Q ds
Q T
V GS
100
80
60
40
400
2
20
0
0
C rss
20
C oss
40
60
80
100
0
0
5
10
15
20
I D = 23 A
T J = 25 ° C
25
0
30
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
V DS = 80 V
I D = 23 A
V GS = 10 V
25
20
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
100
10
t f
t r
t d(off)
t d(on)
15
10
5
0.4
1
1
10
100
0
0.5 0.6 0.7 0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
1000
100
10
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10 m s
100 m s
1 ms
80
70
60
50
40
30
I D = 23 A
1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
10 ms
dc
20
10
0.1
1
PACKAGE LIMIT
10
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTD6416AN-1G MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
NTD6416ANL-1G MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
NTD65N03RT4G MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
NTD6600N-1G MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
NTD70N03R-1G MOSFET N-CH 25V 10A IPAK
NTD78N03T4G MOSFET N-CHAN 25V 78A DPAK
NTD80N02-1G MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
NTD85N02R-001 MOSFET N-CH 24V 12A IPAK
相关代理商/技术参数
NTD6416AN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 m
NTD6416AN-1G 功能描述:MOSFET NFET IPAK 100V 15A 86MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD6416ANL 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 mΩ
NTD6416ANL-1G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 100V 15A 86MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD6416ANLT4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 100V 17A 106MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD6416ANT4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD6416ANT4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:NTD Series N-Channel 100 V 81 mOhm 71 W Surface Mount Power MOSFET - DPAK-3
NTD65N03R 功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube